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新型半导体器件有哪些?
来源:艾特贸易2017-06-04
简介近几年来,由于半导体工艺水平的不断提高,出现了许多新型的复合型器件。这些新型复合器件综合了单极型和双极型器件各自的优点,具有输入阻抗高、工作速度快、通态压降低、高
近几年来,由于半导体工艺水平的不断提高,出现了许多新型的复合型器件。这些新型复合器件综合了单极型和双极型器件各自的优点,具有输入阻抗高、工作速度快、通态压降低、高压大电流等优点。因此这类器件发展很快,已成为电力器件发展的一个重要方向。 (1)静电感应晶闸管(SITH) SITH是一种大功率场控开关器件,根据结构不同,分为常开型和常关型两种,由门极控制关断或导通。目前SITH产品的容量已达到1000A/2500V和400A/4500V,工作频率可达100kHz以上。但由于SITH制造工艺较为复杂,成本比较高,应用受到一定限制。随着微电子精细加工工艺的改进,SITH的发展将会进入一个新的阶段。 (2)静电感应晶体管(SIT) SIT是一种具有非饱和输出特点的多子导电器件。SIT常态是开通状态,因而是常开器件,当门、源极间加以负电压时,即门、源结处于反偏时,器件被关断,这个反偏负电压称为判断电压。SIT适合作高压大功率器件,已商品化的功率SIT的截止频率达到30~50MHz,容量达到200A/1200V。 (3) MOS控制晶闸管(MCT) 利用品闸管高电压、大电流技术与MOSFET控制技术的结合,研制成功了MOS晶闸管复合器件,MOS控制晶闸管(MCT)。MCT的典型结构是在SCR结构中集成了一对MOSFET,通过MOSFET来开通和关断晶闸管。MCT具有电压高、电流容量大的特点,阻断电压已达3000V,峰值电流达1000A,最大可判断电流密度为6000A/cm2,并且开关速度快、开关损耗小,是一种很有前途的大功率开关器件。 (4)功率集成电路(Power IC) 在电力电子技术中,电力半导体器件必须有驱动电路、控制电路以及各种保护电路相配合。以往,电力半导体器件与相配合的各种电路是分立的部件或电路,而目前半导体技术的发展已可以将它们集成在一个芯片上,称为功率集成电路(Power IC)。 Power IC目前可分为两大类。一类是高压集成电路,简称HVIC,它是横向高耐压电力半导体器件与控制电路的单片集成;另一类是所谓智能功率集成电路(smart Power IC),它是纵向电力半导体器件与控制电路、保护电路以及传感器电路的多功能集成。