对IGBT驱动电路有什么要求？

    ①栅极驱动电压IGBT开通时，正向栅极电压的值应该足够令IGBT产生完全饱和，并使通态损耗减至最小，同时也应限制短路电流和它所带来的功率应力。在任何情况下，开通时的栅极驱动电压，应该在12～20V。当栅极电压为零时，IGBT处于断态。但是，为了保证IGBT在集电极、发射极电压上出现dv/dt噪声时仍保持关断，必须在栅极上施加一个反向关断偏压，采用反向偏压还减少了关断损耗。反向偏压应该在-5～-15V。    ②串联栅极电阻(Rg)的选择对IGBT栅极驱动相当重要。IGBT的开通和关断是通过栅极电路的充放电来实现的，因此栅极电阻值将对IGBT的动态特性产生极大的影响。数值较小的电阻使栅极电容的充放电较快，从而减小开关时间和开关损耗。所以，较小的栅极电阻增强了器件工作的耐固性（可避免dv/dt带来的误导通），但与此同时，它只能承受较小的栅极噪声，并可能导致栅极发射极电容和栅极驱动导线的寄生电感产生振荡。
    图2-16    IGBT逆变电路、电压、电流波形图    ③栅极驱动功率要求。IGBT的开关要消耗来自栅极电源的功率。其功耗受栅极驱动负、正偏置电压的差值△UGE、栅极总电荷QG和工作频率fs的影响。电源的平均功率PAV为    PAV=△UGE×QG×fs    IGBT逆变电路、电压、电流波形图见图2-16。