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IGCT应用概述

来源:艾特贸易2018-06-12

简介为了便于 IGCT 与 GTO 、 IGBT 的应用比较,下面从使用角度对三种 3.3kV 器件的部分特性进行了粗略的比较见表 1-11 。可见, IGCT 兼有 GTO 、 IGBT 两者的优点。 IGCT 的应用情况可从可靠性、

    为了便于IGCTGTOIGBT的应用比较,下面从使用角度对三种3.3kV器件的部分特性进行了粗略的比较见表1-11。可见,IGCT兼有GTOIGBT两者的优点。IGCT的应用情况可从可靠性、吸收与钳位电路、功率和频率及其适用范围方面讨论。

    1-11    三种3.3kV器件的特性比较

    特性

    IGBT

    GTO

    IGCT

    器件通态损耗

    100%

    70%

    50%

    器件关态损耗

    100%

    100%

    100%

    器件开通损耗

    100%

    80%

    5%

    门极驱动功率

    1%

    100%

    50%

    短路电流

    自身限制

  外部限制(电抗器)

  外部限制(电抗器)

    du/dt吸收电路

    无

    有

    无

    di/dt吸收电路

    无

    有

    有

  承受高开关频率能力

    有

    无

    有

    开关芯片

    分立

    单片

    单片

    二极管芯片

    分立

    单片

    单片

    芯片封装

  一般为焊接,特殊高温循环需要压接

    压接

    压接

    破坏后特性

    开路

    短路

    短路