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IGBT的开通过程

来源:艾特贸易2018-06-12

简介IGBT 的开通过程与 MOSFET 的相似,因为开通过程中 IGBT 在大部分时间作为 MOSFET 运行,如图 1-18 所示。 图 1-18 IGBT 的开关过程 开通延迟时间 td(on) :从 UGE 上升至其幅值 10% 的时刻,到 i

    IGBT的开通过程与MOSFET的相似,因为开通过程中IGBT在大部分时间作为MOSFET运行,如图1-18所示。

IGBT的开关过程

    1-18    IGBT的开关过程

    开通延迟时间td(on):从UGE上升至其幅值10%的时刻,到ic上升至10% ICM

    电流上升时间triC10% ICM上升至90% ICM所需时间。

    开通时间ton:开通延迟时间与电流上升时间之和,UCE的下降过程分为tfv1tfv2两段。

   tfv1IGBTMOSFET单独工作的电压下降过程。

   tfv2MOSFETPNP晶体管同时工作的电压下降过程。

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