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IGBT的提高性能技术

来源:艾特贸易2018-06-12

简介击穿性能主要采取解决电场及电流集中以及寄生 NPN 晶体管工作的措施。抑制寄生 NPN 晶体管工作,抑制电场和电流集中,以提高击穿性能。

    击穿性能主要采取解决电场及电流集中以及寄生NPN晶体管工作的措施。抑制寄生NPN晶体管工作,抑制电场和电流集中,以提高击穿性能。