IGCT的逆导技术

    GCT大都制成逆导型，与非对称型结构不同，它可与优化的续流二极管FWD单片集成在同一芯片上。穿通型GCT的最小基区厚度与二极管相同，可承受相同的阻断电压。由于二极管和GCT享有同一个阻断结（PN -），GCT的P基区与二极管的阳极相连，这样在GCT门极和二极管阳极间形成电阻性通道。逆导GCT与二极管隔离区中因为有PNP结构，其中总有一个PN结反偏，从而阻断了GCT与二极管阳极间的电流流通。

    为了使GCT能够无吸收地关断，要求集成在其中的FWD也必须无吸收电路，并在高di/dt下关断。为此，逆导GCT的二极管部分可通过质子辐照形成非均匀的复合中心，从而控制二极管的反向恢复特性，以确保当其拖尾电流减小至零时不会产生断流现象。