IGBT的改进开关特性技术

    为改进开关特性所研制的技术主要是使浓度与层的厚度达到最佳化，减少成为储存载流子的空穴，使IGBT特有的集电极电流拖尾部分减少。通过单元图形的最佳化减少输入阻抗RG，使MOSFET部分栅极电荷充放电时间高速化。在高速化功率器件的基础上所采用的技术是缩短载流子的消灭时间。作为寿命时间限制方法一般常采用重金属扩散和电子射线照射等方法。通过寿命时间的控制可以控制IC的关断特性。降低MOSFET部分的栅极电容量，可使充放电时间达到高速化。