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IGBT的开关损耗与性能

来源:未知 编辑:晚一步 时间:2018-06-12

    IGBT的研制中,要求功率开关器件降低损耗、提高效率、提高性能。

    开关器件的损耗分为两类,一类是器件的通态正常(导通)损耗;另一类是从通态向断态(从断态向通态)转换的开关损耗。IGBT的特性为正常损耗[集电极一发射极间饱和电压UCE(sat)]特性、开关特性(断开时间toff,有的用途为导通时间ton)。击穿性能有闭锁性能、短路性能、di/dtdu/dt性能。


 
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