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IGBT的结构

来源:未知 编辑:晚一步 时间:2018-06-12

    IGBT的结构而言,是在N沟道MOSFET的漏极N层上又附加上一层P层的P-N-PN+4层结构。图1-16 (a)N沟道VDMOSFETGTR组合N沟道IGBT (N -IGBT)IGBTVD-MOSFET多一层P+注入区,形成了一个大面积的P+NJ1,使IGBT导通时由P+注入区向N基区发射少子,从而对漂移区电导率进行调制,使得IGBT具有很强的通流能力。简化等效电路图1-16 (b)表明,IGBTGIRMOSFET组成的达林顿结构,一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管,Rff为晶体管基区内的调制电阻。

 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号

    1-16    IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号

   (a)内部结构端面示意图;(b)简化等效电路;(c)电气图形符号

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