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IGBT驱动的集成芯片

来源:未知 编辑:晚一步 时间:2018-06-12

    TLP250TOSHIBA公司生产)包含一个GAALAS光发射二极管和一个集成光探测器,8脚双列封装结构。适合于IGBT或功率MOSFET栅极驱动电路。图1-20TLP250的内部结构简图,表1-4给出了其工作时的真值表。

    1-4    TLP250工作时的真值表

TLP250工作时的真值表

   TLP250的典型特征如下:

   1)输入阈值电流(IF)5mA(最大)。

   2)电源电流(Icc)11mA(最大)。

   3)电源电压(Ucc)10~ 35V

   4)输出电流(I0):±0.5A(最小)。

   5)开关时间(TPLH/TPHL):0.5μs(最大)。

   6)隔离电压:2500VP-P(最小)。

   (1) TLP250的应用。图1-21和图1-22给出了TLP250的两种典型的应用电路。

TLP250的内部结构简图

    1-20    TLP250的内部结构简图

 用于额定值1200V/50A以下IGBT的驱动

    1-21    用于额定值1200V/50A以下IGBT的驱动

用于额定值1200V/50A以上IGBT的驱动

    1-22    用于额定值1200V/50A以上IGBT的驱动

    在图1-22中,VT1VT2的选取与用于IGBT驱动的栅极电阻有直接的关系,例如,电源电压为24V时,VT1VT2ICMAX24/RG

   TLP250不具备过流保护功能,当IGBT过流时,通过控制信号关断IGBTIGBT中电流的下降很陡,且有一个反向的冲击。这将会产生很大的di/dt和开关损耗,而且对控制电路的过流保护功能要求很高。

   (2)TLP250使用特点。

   1) TLP250输出电流较小,对较大功率IGBT实施驱动时,需要外加功率放大电路。

   2)由于流过IGBT的电流是通过其他电路检测来完成的,而且仅仅检测流过IGBT的电流,这就有可能对IGBT的使用效率产生一定的影响,比如IGBT在安全工作区时,有时出现的提前保护等。

   3)要求控制电路和检测电路对于电流信号的响应要快,一般由过电流发生到IGBT可靠关断应在10μs以内完成。

   4)当过电流发生时,TLP250得到控制器发出的关断信号,对IGBT的栅极施加一负电压,使IGBT硬关断。这种主电路的du/dt比正常开关状态下大了许多,造成了施加于IGBT两端的电压升高很多,有时就可能造成IGBT的击穿。

   5)使用TLP250时应在管脚85间连接一个0.1μF的陶瓷电容来稳定高增益线性放大器的工作,提供的旁路作用失效会损坏开关性能,电容和光耦之间的引经长度不应超过1cm

(作者稿费要求:需要高清无水印文章的读者3元每篇,请联系客服,谢谢!在线客服:艾特贸易网客服为您服务


 
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