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IGBT基本概念

来源:未知 编辑:晚一步 时间:2018-06-12

    IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)MOS结构双极器件,属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为lkHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电动机、变换器(逆变器)、照相机的频闪观测器、感应加热(Induction Heating)电饭锅等领域。根据封装的不同,IGBT大致分为两种类型,一种是模压树脂密封的三端单体封装型,从TO - 3P到小型表面贴装都已形成系列。另一种是把IGBTFWD (FleeWheelDiode)成对地(26组)封装起来的模块型,主要应用在工业上。模块的类型根据用途的不同,分为多种形状及封装方式,都已形成系列化。

   IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压VDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT高出很多。IGBT较低的压降,转换成一个低UCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,与同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。


 
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