IGCT应用的适用范围

    与GTO和IGBT相比，IGCT具有损耗低、开关速度快、内部机械部件极少等特点，因而保证了IGCT有较低的成本和紧凑的结构，能可靠、高效地应用于各种驱动控制、静态无功补偿器SVG、感应加热谐振转换器、静态阻断器等各种电力变流器及柔性交流输出系统FACTS和民用电力市场。对中压大功率应用，可利用IGCT能简单、可靠串联这一关键技术。

    由于最新技术的飞跃，IGCT未来的发展仍有巨大的潜力。主要是降低指定装置的成本，其新技术可以归纳为4个领域：二极管的发展（无吸收二极管）、阻断电压(6kV，9kV)、封装（塑料、水冷器件、低温键合、应变缓冲片）及钝化技术（无机钝化）。可以预计，提高可靠性和降低成本是未来发展的动力。实际上是要求改进目前的封装技术，并在封装中集成其他功能，如驱动电路和保护电路。因而封装技术很有可能成为将来重要的研究课题。

    综上所述，IGCT在功率、可靠性、速度、效率、成本、质量和体积等方面均达到了新的性能标准，并在未来的发展中仍有很大的潜力，随着人们的不断认识，它必将成为大功率应用中首选的电力半导体器件。

   IGCT包含了未来电力电子应用技术所需的重要技术，是对电力电子技术的重大贡献，由于其存储时间短，不同器件间关断时间偏差极小。因此，特别适用于串联使用，其优越的关断特性可以进行无吸收逆变器的设计，即使在数万赫兹的频率下工作，IGCT亦能应付其复杂短暂的控制过程。

   IGCT将GTO技术与现代功率晶体管IGBT的优点集于一身，利用大功率关断器件可简单可靠地串联这一关键技术，使得IGCT在中高压领域以及功率在0.5~100MVA的大功率应用领域尚无真正的对手。由于IGCT在大功率电力电子应用中公认的重要性，目前已开始在世界范围内掀起了对IGCT器件技术研究的热潮。