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中压变频电源的不对称的混合级联型多电平变换电路

来源:艾特贸易2018-07-29

简介全桥级联型多电平逆变技术中,独立直流电源采用的是电压等级相同的电源,为了增加输出波形电平数,往往要大量增加独立直流电源数量。为了简化电路拓扑,同时结合 IGBT 和 GTO 等

    全桥级联型多电平逆变技术中,独立直流电源采用的是电压等级相同的电源,为了增加输出波形电平数,往往要大量增加独立直流电源数量。为了简化电路拓扑,同时结合IGBTGTO等功率开关器件两者的优点(开关速度快的器件,例如MOSFETIGBT的电压容量比较低,而高电压容量的器件,例如GTOIGCT的开关频率又较低),可以采用独立直流电源电压不等的级联式多电平逆变技术。这种结构是传统功率单元级联型多电平逆变电路的推广,可以用更少的单元得到更多的输出电平。

    其电路拓扑如图2-14所示,其中一个单元使用IGBT,另一个单元使用IGCTIGCT单元上的电压2倍于IGBT单元。在控制上,用基波开关IGCT,以PWM方式调制IGBT。比起功率单元级联型逆变电路,这种不对称的混合级联型多电平电路的优点是,由于2个单元预先给定的电压不同,IGBT单元和IGCT单元可以通过控制各自功率器件的开断来相互协调,从而实现单相7电平的输出,这种结构达到了用更少的单元得到更多电平的目的。

不对称的混合级联型多电平变换器单相拓扑结构

    2-14    不对称的混合级联型多电平变换器单相拓扑结构

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