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栅极源极漏极怎么区分

来源:艾特贸易2017-03-18

简介场效应管MOSFET 栅极(gate electrode)gate,门的意思,中文翻译做栅,栅栏。electrode,电极。 源极(source)source资源,电源,中文翻译为源极。起集电作用的电极。 漏极(drain)drain排出,泄漏,中

场效应管MOSFET
栅极(gate electrode)gate,门的意思,中文翻译做栅,栅栏。electrode,电极。
源极(source)source资源,电源,中文翻译为源极。起集电作用的电极。
漏极(drain)drain排出,泄漏,中文翻译为漏极。起发射作用的电极。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者
在两个高掺杂的P区中间,夹着一层低掺杂的N区(N区一般做得很薄),形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极,在两个P区上也做上欧姆电极,并把这两P区连起来,就构成了一个场效应管。
N型导电沟道结型场效应管的电路符号。
将两个P区的引出线连在一起作为一个电极,称为栅极,在N型硅片两端各引出一个电极,分别称为源极和漏极,很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路——源极输出器
栅极简称为G ,源极简称为S,漏极简称为D。