IGBT的开关损耗与性能

    在IGBT的研制中，要求功率开关器件降低损耗、提高效率、提高性能。

    开关器件的损耗分为两类，一类是器件的通态正常（导通）损耗；另一类是从通态向断态（从断态向通态）转换的开关损耗。IGBT的特性为正常损耗[集电极一发射极间饱和电压UCE(sat)]特性、开关特性（断开时间toff，有的用途为导通时间ton）。击穿性能有闭锁性能、短路性能、di/dt、du/dt性能。