您现在的位置是：首页 > 变频技术 > 变频技术
IGBT的结构
来源：艾特贸易2018-06-12
简介就 IGBT 的结构而言，是在 N 沟道 MOSFET 的漏极 N 层上又附加上一层 P 层的 P-N-PN+ 的 4 层结构。图 1-16 (a) 为 N 沟道 VDMOSFET 与 GTR 组合 N 沟道 IGBT (N -IGBT) ， IGBT 比 VD-MOSFET 多一层 P+ 注入区，
就IGBT的结构而言，是在N沟道MOSFET的漏极N层上又附加上一层P层的P-N-PN+的4层结构。图1-16 (a)为N沟道VDMOSFET与GTR组合N沟道IGBT (N -IGBT)，IGBT比VD-MOSFET多一层P+注入区，形成了一个大面积的P+N结J1，使IGBT导通时由P+注入区向N基区发射少子，从而对漂移区电导率进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力。简化等效电路图1-16 (b)表明，IGBT是GIR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管，Rff为晶体管基区内的调制电阻。
图1-16 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号
(a)内部结构端面示意图；(b)简化等效电路；(c)电气图形符号
（作者稿费要求：需要高清无水印文章的读者3元每篇，请联系客服，谢谢！在线客服：
）
