IEGT的结构

    新型大功率开关器件IEGT的基本单元结构及等效电路如图1-30所示。图1-30 (a)为IEGT的基本结构单元和阴极发射极附近的电子浓度分布。图1-30 (b)为等效电路，相当于pin二极管与MOS器件串联。IEGT是电压驱动型带MOS栅极(metal Oxide Semi - conductor)能控制大电流的电力电子新器件。由于其栅极采用IE技术（IE:电子加强注入），故能具有和IGBT相同的电压驱动特性，但通态电压大大降低。

    图1-30    IEGT的基本单元结构与等效电路图

   (a)单元结构图；(b)等效图

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