IEGT栅控电路的改进

    IEGT的栅极驱动特性，基本上和IGBT相同是属于MOS型的电压控制，完全可以采用成熟的IGBT相控电路进行控制。即加上+15V时导通，加上- 15V时关断。但对于高压大容量的装置来说，小型固化的低压驱动电路很易受主回路的影响。为解决此问题现已开发新型的专门用于IEGT的栅极驱动电路。

    该电路的特点是利用IEGT关断之际的低输入阻抗，使IEGT的栅极上叠加负偏压，更有利于关断。其优点是使IEGT在du/dt过高时，防止误触发。IEGT的驱动电路的体积比GTO触发器大大缩减。