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变频技术

  • IGBT基本概念

    IGBT基本概念

    IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 是 MOS 结构双极器件,属于具有功率 MOSFET 的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。 IGBT 的应用范围一般都在耐压 600V 以上、电流 10A 以上、频率为...

    2018-06-12 08:58:08
  • IGBT驱动的集成芯片

    IGBT驱动的集成芯片

    TLP250 ( TOSHIBA 公司生产)包含一个 GAALAS 光发射二极管和一个集成光探测器, 8 脚双列封装结构。适合于 IGBT 或功率 MOSFET 栅极驱动电路。图 1-20 为 TLP250 的内部结构简图,表 1-4 给出了...

    2018-06-12 08:58:07
  • IGCT的缓冲层与浅层发射极

    IGCT的缓冲层与浅层发射极

    IGCT 的工作原理表明, IGCT 是在 GTO 芯片基础上进行设计的,但由于传统的 GTO 技术为降低场强而增加了芯片厚度,从而使通态压降和开关损耗增大,为此 IGCT 采用了新的器件设计技术。...

    2018-06-12 08:58:06
  • IGBT的结构

    IGBT的结构

    就 IGBT 的结构而言,是在 N 沟道 MOSFET 的漏极 N 层上又附加上一层 P 层的 P-N-PN+ 的 4 层结构。图 1-16 (a) 为 N 沟道 VDMOSFET 与 GTR 组合 N 沟道 IGBT (N -IGBT) , IGBT 比 VD-MOSFET 多一层 P+ 注入区,...

    2018-06-12 08:57:43
  • IGBT的开关损耗与性能

    IGBT的开关损耗与性能

    在 IGBT 的研制中,要求功率开关器件降低损耗、提高效率、提高性能。 开关器件的损耗分为两类,一类是器件的通态正常(导通)损耗;另一类是从通态向断态(从断态向通态)转换的...

    2018-06-12 08:57:42
  • IGCT的二极管集成和隔离区

    IGCT的二极管集成和隔离区

    以往的非穿通型(即不带缓冲层) GTO 的硅片厚度大于与之配对的续流二极管的硅片厚度,从而使逆导 GTO 承受过多的功耗,因此二者集成的优点得不到较好的体现。缓冲层的引入克服了...

    2018-06-12 08:57:41
  • IGBT的工作原理

    IGBT的工作原理

    N 沟型的 IGBT 工作是通过栅极一发射极间加阀值电压 VTH 以上的(正)电压,在栅极电极正下方的 P 层上形成反型层(沟道),开始从发射极电极下的 N- 层注入电子。该电子为 P+N-P 晶体...

    2018-06-12 08:57:10
  • IGBT的改进开关特性技术

    IGBT的改进开关特性技术

    为改进开关特性所研制的技术主要是使浓度与层的厚度达到最佳化,减少成为储存载流子的空穴,使 IGBT 特有的集电极电流拖尾部分减少。通过单元图形的最佳化减少输入阻抗 RG ,使...

    2018-06-12 08:57:09
  • IGCT的透明阳极

    IGCT的透明阳极

    为了实现低的关断损耗,需要对阳极晶体管的增益加以限制,因而要求阳极的厚度要薄,浓度要低。透明阳极是一个很薄的 PN 结,其发射效率与电流有关。因为电子穿透阳极就像阳极被...

    2018-06-12 08:57:08
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