IGBT的降低UCE(sat)技术

    降低UCE(sat)技术是通过浓度、层的厚度及深度的最佳化来降低电阻部分。借助精细化，提高单位面积的电流密度。使LG与LS比达到最佳化，扩大MOSFET部的反型层（沟道）单位芯片面积，减少沟道电阻。

    利用开关特性的改进技术，提高了寿命时间控制。若加大寿命时间限制量，开关特性能实现高速化。在IGBT中，UCE(sat)与开关特性tf处于相关关系中，借助寿命时间控制，在该相关关系上可以找到所需要的任意工作状态。