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功率场效应晶体管(MOSFET)的结构和工作原理

来源：艾特贸易2018-04-20

简介功率场效应晶体管 (P -MOSFET ，以下简称 MOSFET-me tal Oxide Semico nductorField Effect Transistor) 与 BJT 不同，它是一种单极（性）型的电压控制器件。图 3-12(a) 是 N 沟道 MOSFET 的结构示意图，图 3

功率场效应晶体管(P -MOSFET，以下简称MOSFET-metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor)与BJT不同，它是一种单极（性）型的电压控制器件。图3-12(a)是N沟道MOSFET的结构示意图，图3-12(b)所示为其电气图形符号，图中G为栅极，S为源极，D为漏极。

N沟道MOSFET的结构和符号

图3-12 N沟道MOSFET的结构和符号

MOSFET的工作原理可用图3-13所示的模拟结构来说明：如图(a)当栅极(G)电压为零(UGS=0)时，器件的漏极(D)与源极(S)之间的PN结为反偏状态，故MOSFET处于截止态。如图(b)在G加上正向电压(UGS>0)，且UDS亦为正向电压，则栅极下面将形成耗尽区，并出现多余负电荷，P基片的表面由P反型成为N型，这个反型层称为N沟道。此时电子从源极向漏极移动形成漏极电流ID，MOSFET处于导通态。根据沟道的不同，MOSFET可分为N沟遭和P沟道两种。如图(c)，若在G、S间加上反向电压（UGS<0)则DS间恢复阻断状态。