双极晶体管(BJT)的使用注意事项

    MOSFET器件应采取抗静电包封装，置于导电材料制成的容器内。取用器件时，应拿壳体而不是导线部位。

    当栅源极间阻抗过高时，UDS的突变会耦合到栅极，产生相当大的过压尖锋，将使栅极氧化层损坏。解决的办法是适当降低栅极驱动电路的阻抗，并要特别防止栅极开路工作。

    当器件接有感性负载（例如，电磁线圈或电动机）时，在关断时会引起漏极电流的突变而烧坏管子。因此，过电流保护方面必须完善。