S7-200 PLC的改写变频器参数的USS_WPM_X

    USS_WPM_W(见图10-39)、USS_WPM_D和USS_WPM_R指令分别用于向变频器写入一个无符号字、一个无符号双字和一个实数类型的参数。

    图10-39    USS_WPM_W指令

    当变频器确认接收到命令或返回一条错误信息时，就完成了USS_WPM_W指令的处理，在进行这一处理并等待响应到来时，逻辑扫描仍继续进行。

    读、写变频器参数指令的输入位“EN”与“XMT_REQ”（发送请求）的控制电路设计方法相同。Value是要写入变频器的RAM的参数值，也可以写入变频器的EEPROM。参数Drive、Param、Index、DB_Ptr、Done、Error与USS_RPM_X的含义相同。

    “EEPROM”输入接通时，指令同时将参数写入变频器的RAM和EEPROM。该输入断开时，只写变频器的RAM。MM3系列变频器不支持此功能，应将该输入断开。

    【例10-12】  在I2.5的上升沿改写变频器1的参数P2014(串行链路超时时间)，参数的下标为0(COM链路的串行接口)，VW310是待写的参数字，16字节缓冲区的地址为VB150，M0.2为Done输出位，VB63为错误信息字节(见图10-39)。下面是语句表程序：

    //向变频器1写入无符号字型参数

   LD    I2.5    //写命令参数

   =    L60.0

   LD    I2.5

   EU    //上升沿参数

   =    L63.7    //保存发送请求输入位(XMT_REQ)

   LDN    SM0.0

   =    L63.6    //写命令信号

   LD    L60.0

   CALL    SBR5, L63.7,L63.6,1,2014,0,VW310, &VB150, M0.2, VB63

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