IGBT基本概念

    IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)是MOS结构双极器件，属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为lkHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电动机、变换器（逆变器）、照相机的频闪观测器、感应加热(Induction Heating)电饭锅等领域。根据封装的不同，IGBT大致分为两种类型，一种是模压树脂密封的三端单体封装型，从TO - 3P到小型表面贴装都已形成系列。另一种是把IGBT与FWD (FleeWheelDiode)成对地（2或6组）封装起来的模块型，主要应用在工业上。模块的类型根据用途的不同，分为多种形状及封装方式，都已形成系列化。

   IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压VDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT高出很多。IGBT较低的压降，转换成一个低UCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，与同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。